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MOSFET_HW2N65(TO-220FT,IPAK,DPAK)

    來源: 點擊:2394 發布時間:2015-7-17 14:25:25
 

HW2N65

主要參數 MAIN CHARACTERISTICS

ID

2A

VDSS

650V

RDS(ON)VGS=10V

5.6Ω

QG

7.7nC

1 Gate

2 Drain

3 Source

用途

l 高頻開關電源

l 電子整流器

l LED電源

產品特性

l 低柵極電荷

l CRSS (典型值 10pF)

l 開關速度快

l 100%雪崩測試

l 高抗 dv/dt 能力

l RoHS 產品

APPLICATIONS

l High efficiency switch mode power supplies

l Electronic lamp ballasts based on half bridge

l LED power supplies

FEATURES

l Low gate charge

l Low CRSS(typical 10pF)

l Fast switching

l 100% avalanche tested

l Improved dv/dt capability

l RoHS product

  訂貨信息 ORDER MESSAGE

訂貨型號

Order codes

印記

Marking

封裝

Package

無鹵素

Halogen Free

包裝

Packaging

器件重量

Device Weight

HW2N65F

HW2N65F

TO-220FT

NO

條管 Tube

2.2g(typ)

HW2N65I

HW2N65I

IPAK

YES

條管 Tube

0.35g(typ)

HW2N65D

HW2N65D

DPAK

YES

條管 Tube

0.3g(typ)

 絕對ABSOLUTE RATINGS (TC=25℃,unless otherwise specified)

連續漏極電流

項目

Parameter

符號

Symbol

數值

Ratings

單位

Unit

IPAK

DPAK

TO-220FT

漏極-源極擊穿電壓

Drain-Source Breakdown Voltage

VDSS

650

V

漏極連續電流

Continuous Drain Current

TC=25℃

ID

2*

A

TC=100°℃ 1*

A

漏極脈沖電流(注1

Drain Current pulsednote 1

IDM

8.4*

A

最高柵源電壓

Gate-Source Voltage

VGSS

±30

V

單脈沖雪崩能量(注2

Single Pulsed Avalanche Energynote 2

EAS

145

mJ

重復雪崩能量(注1

Repetitive Avalanche Current note 1

EAR

20

mJ

二極管反向恢復最大電壓變化速率(注3

Peak Diode Recovery dv/dt note 3

dv/dt

4.5

V/ns

耗散功率

Total Power Dissipation

TC=25℃

PD

88.7

85.5

16.7

W

Derate above 25℃

0.71

0.68

0.13

W/℃

最高結溫

Operating Junction Temperature

TJ

150

存儲溫度

Storage Temperature

TSTG

-55+150

焊接溫度

Maximum Temperature for Soldering Leads

TL

300

* 漏極電流由最高結溫限制。

* Drain current is limited by junction temperature.

 電特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICSTJ=25℃,unless otherwise specified

零柵壓下漏極漏電

項目

Parameter

符號

Symbol

測試條件

Test conditions

最小Min

典型

Typ

最大Max

Unit

態特性 Off Characteristics

漏-源擊穿電壓

Drain-Source Breakdown Voltage

BVDSS

ID=250μA, VGS=0V

650

-

-

V

擊穿電壓溫度特性

Breakdown Voltage Temperature

Coefficient

ΔBVDSS/ΔTJ

ID=250μA,

referenced to 25℃

-

0.81

-

V/℃

源極漏電流

Drain-Source leakage Current

IDSS

VDS=650V,VGS=0V

-

-

1

μA

VDS=520V,TC=125℃

-

-

10

μA

源極漏電流

Gate-Source leakage current

正向Forward

IGSS

VDS=0V,VGS=30V

-

-

100

nA

反向Reverse

VDS=0V,VGS=-30V

-

-

-100

nA

項目

Parameter

符號

Symbol

測試條件

Test conditions

最小

Min

典型

Typ

最大

Max

Unit

通態特性 On Characteristics

閾值電壓

Gate Threshold Voltage

VGS(th)

VDS=VGS,ID=250μA

2

-

4

V

靜態導通電阻

Static Drain-Source On-Resistance

RDS(ON)

VGS=10V,ID=1A

-

4.5

5.6

?

正向跨導

Forward Transconductance

gFS

VDS=40V,ID=1A(note 4)

1

-

-

S

動態特性 Dynamic Characteristics

輸入電容

Input capacitance

CISS

VDS=25V,VGS=0V,

f=1MHBZB

-

231

-

pF

輸出電容

Output capacitance

COSS

-

28

-

反向傳輸電容

Reverse transfer capacitance

CRSS

-

10

-

開關特性 Switching Characteristics

導通延遲時間

Turn on delay time

td(ON)

VDD=325V,ID=2A,

RG=25?

note 4,5

-

9

-

ns

上升時間

Rise time

tr

-

23

-

關斷延遲時間

Turn off delay time

td(off)

-

12

-

下降時間

Fall time

tf

-

22

-

柵極電荷總量

Total Gate Charge

QG

VDS=520V,ID=2A,

VGS=10V

note 4,5

-

7.7

-

nC

柵-源電荷

Gate-Source charge

QGS

-

2.1

-

柵-漏電荷

Gate-Drain charge

QGD

-

4.6

-

-漏二極管特性 Source-Drain Diode Characteristics

正向連續電流

Continuous Forward Current

IS

-

-

2

A

正向脈沖電流

Pulsed Forward Current

ISM

-

-

8.4

A

正向壓降

Forward Voltage

VSD

VGS=0V,IS=2A

-

-

1.5

V

反向恢復時間

Reverse recovery time

trr

VGS=0V,IS=2A,

dIF/dt=100A/μs

(note 4)

-

351

-

ns

反向恢復電荷

Reverse recovery charge

Qrr

-

1.5

-

μC

熱特性 THERMAL CHARACTERISTICS

項目

Parameter

符號

Symbol

最大

Max

單位

Unit

IPAK

DPAK

TO-220FT

結到管殼的熱阻

Thermal Resistance,Junction to Case

Rth(j-c)

1.41

1.46

7.4

℃/W

結到環境的熱阻

Thermal Resistance,Junction to Ambient

Rth(j-a)

90.6

86.6

50

℃/W

 

:

1:脈沖寬度由最高結溫限制

2:L=72.5mH, IAS=2A, VDD=50V, RG=25?,起始結

TJ=25

3:ISD2A,di/dt 100A/μs,VDDBVDSS,起始結溫TJ=25

4:脈沖測試:脈沖寬度≤300μs,占空比≤2

5:基本與工作溫度無關

      

Notes:

1:Pulse width limited by maximum junction temperature

2:L=72.5mH, IAS=2A, VDD=50V, RG=25 ?,Starting

    TJ=25℃

3:ISD 2A,di/dt ≤100A/μs,VDD≤BVDSS, Starting

    TJ=25℃

4:Pulse Test:Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2

5:Essentially independent of operating temperature

特征曲線 TYPICAL  CHARACTERISTICS (curves)

     

 

 

 

 

  外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA

TO-220FT


IPAK

DPAK

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