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HW8312F_12W-300mA應用手冊

    來源: 點擊:1779 發布時間:2014-9-9 13:43:17

HW8312F (12W-300mA) 應用手冊

Rev. 3 –20/11/2014

目錄

1. 應用電路圖

2. BOM表

3. 變壓器參數

4. PCB設計指南

5. PCB版圖

6. 電路測試

  6.1. 正常工作

  6.2. OV(LED開路)

  6.3. 輸出電流的線性調整率

  6.4. 效率

  6.5. DRAIN峰值電壓

  6.6. 熱成像圖


1.應用電路圖                                                                  2. BOM 

3. 變壓器  型號:EE16(4+4)臥式適合產品:12W

序號

項目

測試條件

繞法

參數值

單位

1

N1

1-2腳(1腳起2腳收)

密繞不交叉

68-Ф0.22mm絕緣銅線

TS

2

N2

5-8腳(5腳起8腳收)

密繞不交叉

80-Ф0.30mm絕緣銅線

TS

3

N3

2-4腳(2腳起4腳收)

密繞不交叉

95-Ф0.22mm絕緣銅線

TS

4

氣隙

中心磁路氣虛長度

 

0.53

mm

5

電感量

測N1,N3(1腳,4腳)兩端,N2懸空

 

1.2

mH

6

漏感

測N1,N3(1腳,4腳)兩端,N2短路

 

≤52

uH

4. PCB設計指南

PCB設計需要遵循以下指南:

ROVP: ROVP的走線盡可能短,遠離DRAIN端,在允許的情況下用地線屏蔽,如下圖所示。

旁路電容:  VCC的旁路電容需要緊靠芯片的VCC和GND引腳。

地線: CS端采樣電阻的地線盡可能短,且要和芯片的地線及其它小信號的地線分頭接到母線電容的地端。

功率環路的面積: 減少功率環路的面積,如變壓器初級、功率管的環路面積,以及變壓器次級、次級二極管、輸出電容的環路面積,以減小EMI輻射。

NC:  引腳建議接芯片地。

DRAIN:  增加DRAIN引腳的鋪銅面積以提高芯片散熱。

最終PCB板的測試需要檢測在最高輸入電壓下,DRAIN的電壓在MOS的耐壓范圍內。

 

5. PCB版圖,適用產品HW8312(60mm*20.4mm)

                                                       全層圖


6. 電路測試

6.1. 正常工作

(CH1:Drain,CH2:CS,CH4:ILED)      6.2. OV(LED開路)(CH1:VLED)


6.3.輸出電流的線性調整率                          6.4.效率

 


HW8312F(12W)

Vin(V)

Pin(W)

Iout(mA)

Pout(W)

Vout(V)

Eff

100

15

306

12.28

40.1

81.87%

120

14.87

308.5

12.38

40.1

83.25%

140

14.4

302.9

12.15

40.1

84.38%

160

14.1

299.9

12.02

40.1

85.25%

180

14

298.3

11.96

40.1

85.43%

220

14

299.1

11.95

40.1

85.36%

220

14.4

299.1

12

40.1

83.33%

265

14.2

301

12.06

40.1

84.93%

 

6.5. MOS管峰值電壓

VIN(VAC)

VDRAIN(V)

220

472

300

534


 HW8312F(12W) Drain峰值電壓 

6.6. 熱成像圖

 

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